إذا كنت تعتقد أن جميع هواتف Galaxy S26 قد تأتي العام القادم بشريحة Snapdragon 8 Elite 2 SoC بشكل مماثل لما حدث مع سلسلة Galaxy S25 في وقت سابق من هذا العام، فيجب أن تراجع حساباتك، إذ تُجري سامسونج تحسينات هائلة على تقنية التغليف لكتلة التمرير الحرارية “Heat Pass Blook” الخاصة بشريحة Exynos 2600 SoC ليس فقط لتحسين أداء الرقاقة في الإدارة الحرارية وتصريف حرارتها بكفاءة أسرع، ولكن أيضًا للحفاظ على ذروة أداءها في حالات أعباء العمل وجلسات الضغط المكثفة في التطبيقات والألعاب الأكثر تطلبًا، مما يجعلها تسير على قدم وساق مع الجيل القادم من شرائح كوالكم الرائدة.
وفقًا لتقرير جديد صادر عن إحدى وكالات الأخبار للتقنية في كوريا الجنوبية، فإن عملاق التكنولوجيا الكوري الجنوبي، سامسونج، يدرس إدخال مواد تبديد حرارية جديدة على غلاف أشباه الموصلات الإلكترونية بهواتف Galaxy S26 القادمة في 2026.
شريحة Exynos 2600 SoC تحصل على تقنية تغليف حرارية أكثر كفاءة في امتصاص الحرارة
من المتوقع أن يتم تطوير رقاقة Exynos 2600 SoC بعملية تصنيع 2 نانوميتر، بواسطة شركة سامسونج، وهي شريحة متكاملة “Silicon on Chip” تحتوي على وحدة معالجة مركزية، وحدة معالجة رسومية، ووحدة معالجة عصبية NPU. وعلى ما يبدو أن الشريحة الجديدة تخضع إلى مرحلة متقدمة من التطوير للإنتاج بكميات هائلة، بهدف استخدامها مع هواتف Galaxy S26 الأساسية العام المقبل.
من هذا المنطلق، قد يظل “Ultra” هو الطراز الوحيد الذي لا يزال متمسكًا بشريحة كوالكم، لكن ليس من المستبعد إذا فوجئنا في النهاية باستخدام سامسونج لشريحة Exynos 2600 مع جميع طرازات Galaxy S26، بما في ذلك الطراز الرائد، Ultra، حتى وإن كان في عدد محدود من المناطق على الأقل. ومع ذلك، فلا يزال الأمر متوقف على عائد نجاح النسبة التي يُمكن استخدامها من الرقاقة.
ففي وقت سابق من هذا العام، أشارت بعض التقارير الكورية أن سامسونج نجحت في تحسين عائد رقاقة Exynos 2600 بنسبة تزيد عن 50%، مما يعني أنه من بين كل 100 رقاقة هناك 50 رقاقة أو أكثر صالحة للاستخدام. قد يكون هذا الرقم كافيًا لاستخدام الرقاقة مع هواتف Galaxy S26، لكنه لا يزال أقل من قدرته على تلبية حاجة السوق من طراز Ultra، وربما هذا هو السبب الذي دفع سامسونج لاستخدام شرائح كوالكم بالمقام الأول.
ولتحسين أداء شريحة Exynos 2600 بأفضل شكل ممكن، قررت سامسونج تطبيق تقنية تغليف جديدة على كتلة المشتت الحراري الذي عادةً ما يتم صناعته من مواد نحاسية، والذي يُشار إليه غالبًا باسم “HPB” أو “Heat Pass Block”.
سيحتوي الجيل التالي من شرائح سامسونج على حزمة وصول “PoP” مع ذاكرة وصول عشوائية “DRAM” ديناميكية بداخل نفس القالب، مما يعزز من كفاءة كتلة التمرير الحرارية بامتصاص الحرارة أسرع من نقطة الوصول.
تسعى سامسونج للانتهاء من اختبار جودة الشريحة الجديدة قبل نهاية أكتوبر القادم، وإذا سارت الأمور على نحو مثالي بنفس الشكل الذي تتوقعه سامسونج، فقد تتمكن من تدشين شريحة Exynos 2600 SoC بداخل الطرز الأساسية من سلسلة Galaxy S26.