لأول مرة منذ سنوات طويلة، تُبرهنا شريحة سامسونج الرائدة، Exynos 2600، والتي من المقرر أن نراها في أفضل شكل ممكن على بعض هواتف Galaxy S26 المرتقبة، حيث ظهرت الشريحة مؤخرًا في اختبار Vulcan على GeekBench، مُحققةً نتائج متقاربة للغاية من شريحة Snapdragon 8 Elite Gen 5، إذ بلغت نتائج الشريحتين 27.478 و 27.875 نقطة على التوالي، وهو فارق ضئيل جدًا يكاد يكون غير ملحوظ تمامًا في الاستخدام اليومي، على الأقل من الناحية النظرية.
هذه النتائج ليست حالة فريدة، فلقد سجّلت شريحة Exynos 2600 في يناير الماضي 25.460 نقطة في اختبار OpenCL، بينما وصلت شريحة كوالكم إلى 25.971 نقطة.
للتوضيح، تُعدّ اختبارات OpenCL و Vulcan مقاييس معيارية لأداء وحدة المعالجة الرسومية، ولكن بأساليب مختلفة، حيث يُركز اختبار OpenCL على الحوسبة المتوازية العامة، وهو مقياس موثوق لفهم أداء الشريحة في معالجة الصور وخوارزميات الذكاء الاصطناعي.
من ناحية أخرى، يُمثّل اختبار Vulcan، من واجهة برمجة تطبيقات API الأحدث، مقياسًا دقيقًا للمؤثرات البصرية والرسوم الجرافيكية المتقدمة المُعتمدة في الألعاب والمهام المكثفة بشكل عام، وهو غالبًا ما يُعدّ بمثابة اختبارًا جديرًا بالثقة لقياس الأداء مع أحدث الألعاب.
كيف حقق معالج Exynos 2600 طفرة غير مسبوقة في الاختبارات المعيارية الأولية؟
من المهم ملاحظة أن معالج سامسونج الخاص ينفرد بميزة حاسمة على معالج كوالكم، ألا وهي تقنية التصنيع، إذ يُعدّ معالج Exynos 2600 أو رقاقة سيليكون في العالم مستندة إلى عملية تصنيع 2 نانوميتر، بينما لا تزال منافستها من كوالكم عالقة مع تقنية 3 نانوميتر.
صحيح أن دقة النانوميتر لم تُعد مؤشرًا عمليًا لقياس العناصر المُستخدمة في قطاع أشباه الموصلات، وأن الاختلافات الهيكلية في آلات التصنيع غالبًا ما تؤثر على الجودة النهائية للشريحة، وهو في الواقع أحد أسباب تراجع سامسونج عن TSMC في السنوات الأخيرة، إلا أنه من الواضح أن الشركة الكورية الجنوبية وجدت حلًا فعالًا لتحسين تقنية GAA المُستخدمة في تطوير شرائحها الخاصة، وأصبحت جاهزة على العودة بقوة مرة أخرى.
يجب أيضًا أن نتذكر أن جزء من هذا الإنجاز يعود إلى تقنية التغليف الجديدة FOWLP ووحدة التبريد الجديدة المزوّدة بمشتت نحاسي متّصل مباشرةً بالشريحة، مما ساهم في تقليل المقاومة الحرارية بنسبة 16%، وساعد على تحسين الإدارة الحرارية للرقاقة بوجه عام.